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一种原位合成普鲁士蓝修饰的隔膜的制备方法及其应用

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201710995033.8
  • IPC分类号:H01M2/14;H01M2/16;H01M10/052
  • 申请日期:
    2017-10-23
  • 申请人:
    哈尔滨工业大学
著录项信息
专利名称一种原位合成普鲁士蓝修饰的隔膜的制备方法及其应用
申请号CN201710995033.8申请日期2017-10-23
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2018-03-13公开/公告号CN107799700A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01M2/14IPC分类号H;0;1;M;2;/;1;4;;;H;0;1;M;2;/;1;6;;;H;0;1;M;1;0;/;0;5;2查看分类表>
申请人哈尔滨工业大学申请人地址
黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人哈尔滨工业大学当前权利人哈尔滨工业大学
发明人孙克宁;吴宪;张乃庆;范立双
代理机构哈尔滨龙科专利代理有限公司代理人高媛
摘要
一种原位合成普鲁士蓝修饰的隔膜的制备方法及其应用,属于能源材料技术领域。所述方法如下:用等离子清洗机处理隔膜2~5min,使其表面转变为亲水结构;将0.1~0.15g普鲁士蓝化合物、0.1~0.2g硝酸铁、5~15mL0.1M的盐酸及3.0~3.5gPVP加入到80mL去离子水中搅拌10~30min,加入步骤一处理后的隔膜,80℃静置8~48h,即得到普鲁士蓝化合物修饰的隔膜。本发明的优点是:普鲁士蓝对锂硫电池放电中间产物Li2Sn(4≤n≤8)有很强的吸附作用,能够抑制多硫化锂的溶解,从而抑制穿梭效应,实现高性能锂硫电池的制备;原位生长过程工艺简单,易于操作,易于大规模生产;普鲁士蓝价格便宜、无污染,修饰后的隔膜能够抑制多硫化锂的穿梭效应,制备过程清洁环保,同时能够提升锂硫电池的循环性能。

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