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镁合金表面高导电率高红外发射率膜层的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610355575.4
  • IPC分类号:C25D3/56;C25D5/42
  • 申请日期:
    2016-05-25
  • 申请人:
    上海交通大学
著录项信息
专利名称镁合金表面高导电率高红外发射率膜层的制备方法
申请号CN201610355575.4申请日期2016-05-25
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-08-10公开/公告号CN105839153A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C25D3/56IPC分类号C;2;5;D;3;/;5;6;;;C;2;5;D;5;/;4;2查看分类表>
申请人上海交通大学申请人地址
上海市闵行区东川路800号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海交通大学当前权利人上海交通大学
发明人郭兴伍;郭嘉成;徐文彬;朱荣玉;章志铖
代理机构上海汉声知识产权代理有限公司代理人郭国中
摘要
本发明提供了一种镁合金表面高导电率高红外发射率膜层的制备方法;所述方法包括在镁合金表面进行电镀多孔锌镍合金制备高导电率高红外发射率膜层的步骤;采用的电镀液包括镍盐、锌盐/氧化锌、铵盐、硫氰酸盐、表面活性剂和络合剂。本发明在镁合金表面制备出的多孔锌镍合金膜层同时具有高导电率和高红外发射率的性能,膜层红外发射率εh≥0.88;搭接电阻R≤5mΩ;可帮助内部电子产品抵抗恶劣的太空环境,满足宇航用镁合金电子单机机壳的使用要求。

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