一种制备纳米Mg2-xSiREx热电材料的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110425658.3
IPC分类号：C01B33/06;B82Y40/00
申请日期：
2011-12-14
申请人：
太原理工大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种制备纳米Mg2-xSiREx热电材料的方法
申请号	CN201110425658.3	申请日期	2011-12-14
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2012-07-04	公开/公告号	CN102530957A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B33/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B33/00 硅；其化合物（C01B 21/00，C01B 23/00优先；过硅酸盐入 C01B 15/14；碳化物入C01B32/956）〔1，3，2006.01〕 C01B33/06 金属的硅化物	IPC分类号	C;0;1;B;3;3;/;0;6;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	太原理工大学	申请人地址	山西省太原市迎泽西大街79号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	太原理工大学	当前权利人	太原理工大学
发明人	孟庆森;樊文浩;陈少平;庄蕾;李育德;易堂红
代理机构	太原市科瑞达专利代理有限公司	代理人	庞建英

摘要

一种制备纳米Mg2-xSiREx热电材料的方法，属于热电材料制备领域，具体而言是一种高纯纳米Mg2-xSiREx热电材料的制备技术方案，特别是对中温区温差发电或制冷技术所需的半导体材料的制备。本发明其特征在于用MgH2替代传统Mg粉在管式炉中Ar气保护下与纳米Si粉反应制备出颗粒度小于50nm的高纯纳米Mg2-xSiREx粉末，本方法的特点是工艺简单且高效节能，制备出的Mg2-xSiREx热电材料具有较好的热电性能。克服了常规Mg2Si基热电材料制备过程中，Mg粉氧化严重，产物纯度和均匀度低，严重阻碍了Mg2Si基热电材料ZT值提高的缺点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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