一种改善大直径半导体硅片背封针孔不良的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110382030.3
IPC分类号：C23C16/02;C23C16/40;C23C16/44;C30B29/06;C30B33/00;H01L21/02
申请日期：
2021-04-09
申请人：
中环领先半导体材料有限公司

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专利名称	一种改善大直径半导体硅片背封针孔不良的方法
申请号	CN202110382030.3	申请日期	2021-04-09
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-13	公开/公告号	CN113249705A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/02 待镀材料的预处理（C23C 16/04优先）〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;0;2;;;C;2;3;C;1;6;/;4;0;;;C;2;3;C;1;6;/;4;4;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6;;;C;3;0;B;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	中环领先半导体材料有限公司	申请人地址	江苏省无锡市宜兴经济技术开发区东氿大道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中环领先半导体材料有限公司	当前权利人	中环领先半导体材料有限公司
发明人	王昊宇;江笠;孙晨光;王彦君
代理机构	北京卓特专利代理事务所（普通合伙）	代理人	段宇

摘要

本发明公开了一种改善大直径半导体硅片背封针孔不良的方法，其实验方法包括以下步骤：S1、首先机：通过Pre‑cvd清洗机进行LTO前清洗，联动二次配人员增加有害排风的变频风扇，在稳定设备有害排风后再调整一般排风，最终保证设备腔体压力平衡，增加变频排风可以稳定有害排风的波动，防止在成膜过程中由于排风波动导致粉尘掉落在硅片上形成针孔不良，其次，稳定腔体压力平衡可以防止外界的粉尘在硅片成膜前或成膜过程中进入设备腔体掉落在硅片上形成针孔不良；S2、然后法：编订设备喷头清理保养作业指导书，根据设备喷头累计膜厚到达一定厚度，排风压力无法及时吸除粉尘的原理，寻找设备喷头易积粉的角落并购置配套清理的毛刷。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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