基于异质SiGeSPiN二极管的可重构偶极子天线的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201611184780.5
IPC分类号：H01Q1/22;H01Q1/36;H01L21/329;H01L29/868
申请日期：
2016-12-20
申请人：
西安科锐盛创新科技有限公司

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专利名称	基于异质SiGeSPiN二极管的可重构偶极子天线的制备方法
申请号	CN201611184780.5	申请日期	2016-12-20
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2017-06-09	公开/公告号	CN106816686A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01Q1/22 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01Q 天线（微波加热用辐射器或天线入H05B6/72） H01Q1/00 天线零部件或与天线结合的装置（改变方向图形的指向性的装置入H01Q3/00）〔1，2006.01〕 H01Q1/12 支持物；安装装置 H01Q1/22 结构上与其他设备或物体相结合的	IPC分类号	H;0;1;Q;1;/;2;2;;;H;0;1;Q;1;/;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;9;;;H;0;1;L;2;9;/;8;6;8查看分类表>
申请人	西安科锐盛创新科技有限公司	申请人地址	陕西省西安市高新区高新路86号领先时代广场（B座）第2幢1单元22层12202号房51号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安科锐盛创新科技有限公司	当前权利人	西安科锐盛创新科技有限公司
发明人	尹晓雪;张亮
代理机构	西安智萃知识产权代理有限公司	代理人	刘长春

摘要

本发明涉及一种基于异质SiGeSPiN二极管的可重构偶极子天线的制备方法，其中，所述可重构偶极子天线包括：SiGeOI衬底、第一SPiN二极管天线臂、第二SPiN二极管天线臂、同轴馈线以及直流偏置线；所述天线制备方法包括：选取某一晶向的SiGeOI衬底；在所述SiGeOI衬底上制作多个SPIN二极管依次首尾相连构成SPIN二极管串、制作所述SPiN二极管天线臂、制作直流偏置线；在SPIN二极管天线臂上制作同轴馈线；并连接所述第一SPiN二极管天线臂、第二SPiN二极管天线臂以形成所述可重构偶极子天线，本发明制备的可重构偶极子天线，通过金属直流偏置线控制SPiN二极管导通，形成等离子天线臂的长度可调，从而实现天线工作频率的可重构，具有易集成、可隐身、频率可快速跳变的特点。

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