具有AIN晶化过渡层的体声波谐振器的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610018254.1
IPC分类号：H03H3/02;H03H9/15
申请日期：
2006-01-19
申请人：
湖北大学

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著录项信息

专利名称	具有AIN晶化过渡层的体声波谐振器的制造方法
申请号	CN200610018254.1	申请日期	2006-01-19
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2007-01-10	公开/公告号	CN1893265
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03H3/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03H 阻抗网络，例如谐振电路；谐振器（测量，试验入G01R；产生混响或回声装置入G10K 15/08；由分布阻抗，例如波导型，组成的阻抗网络或谐振器入H01P；放大的控制，例如放大器的带宽控制入H03G；调谐谐振电路，例如调谐耦合谐振电路入H03J；改善通信系统频率特性的网络入H04B） H03H3/00 专用于制造阻抗网络、谐振电路、谐振器的设备或方法 H03H3/007 用于制造机电谐振器或网络〔3〕 H03H3/02 用于制造压电或电致伸缩谐振器或网络（H03H 3/08优先）〔3〕	IPC分类号	H;0;3;H;3;/;0;2;;;H;0;3;H;9;/;1;5查看分类表>
申请人	湖北大学	申请人地址	湖北省武汉市武昌区宝集安变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	湖北大学	当前权利人	湖北大学
发明人	顾豪爽;李位勇;胡明哲;张凯;陈侃松
代理机构	武汉金堂专利事务所	代理人	丁齐旭

摘要

本发明提出一种具有AlN晶化过渡层的体声波谐振器的制造方法，它是在用直流磁控溅射法在Pt电极上沉积AlN压电薄膜时按下列三个步骤进行：第一步，制作Al1-xNx的富Al过渡层。第二步，对此非晶Al1-xNx的富Al过渡层进行晶化退火处理。第三步，在晶化退火处理后的Al1-xNx的富Al过渡层上直流磁控溅射沉积一层c轴取向AlN压电薄膜。本发明能控制过渡层的厚度、改善过渡层的应力性能、提高晶粒C轴取向，制作出高性能的体声波谐振器。

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