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烧结硅晶片

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200880023643.0
  • IPC分类号:H01L29/04;C04B35/00
  • 申请日期:
    2008-07-04
  • 申请人:
    日矿金属株式会社
著录项信息
专利名称烧结硅晶片
申请号CN200880023643.0申请日期2008-07-04
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2010-03-31公开/公告号CN101687709
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/04IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;4;;;C;0;4;B;3;5;/;0;0查看分类表>
申请人日矿金属株式会社申请人地址
日本东京 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人捷客斯金属株式会社当前权利人捷客斯金属株式会社
发明人铃木了;高村博
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司代理人樊卫民;郭国清
摘要
一种烧结硅晶片,其最大结晶粒径为20μm以下,平均结晶粒径为1μm以上、10μm以下,并且从直径400mm以上的硅晶片选取多个试验样品进行测定时具有以下机械特性,所述机械特性为:通过三点弯曲法测得的抗弯强度的平均值为20kgf/mm2以上、50kgf/mm2以下,拉伸强度的平均值为5kgf/mm2以上、20kgf/mm2以下,维氏硬度的平均值为Hv800以上、Hv1200以下。本发明提供一种烧结硅晶片,即使当其为大型圆盘状烧结硅晶片时也具有一定的强度,并且机械物性与单晶硅的机械物性类似。

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