硬磁相与软磁相合成磁体及制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200810008053.2
IPC分类号：H01F7/00;H01F1/06;H01F1/20;H01F41/02;B22F3/00
申请日期：
2008-03-05
申请人：
内蒙古科技大学

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著录项信息

专利名称	硬磁相与软磁相合成磁体及制备方法
申请号	CN200810008053.2	申请日期	2008-03-05
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2008-11-05	公开/公告号	CN101299370
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01F7/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01F 磁体；电感；变压器；磁性材料的选择〔2〕 H01F7/00 磁体	IPC分类号	H;0;1;F;7;/;0;0;;;H;0;1;F;1;/;0;6;;;H;0;1;F;1;/;2;0;;;H;0;1;F;4;1;/;0;2;;;B;2;2;F;3;/;0;0查看分类表>
申请人	内蒙古科技大学	申请人地址	内蒙古自治区包头市昆区阿尔丁大街7号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	内蒙古科技大学	当前权利人	内蒙古科技大学
发明人	张雪峰;徐来自;牛焕忠;武晓霞
代理机构	包头市专利事务所	代理人	庄英菊

摘要

本发明涉及一种硬磁相与软磁相合成磁体及其制备方法，属于磁体材料及其制备技术领域。特点是：硬磁相弥散在软磁母相中，其特征是：软磁相的含量为5wt％-70wt％，其余为硬磁相，硬磁相的晶粒度为：1.5-10微米，软磁相的晶粒度为：10-100微米，微米晶粒硬磁相之间的距离为10-100纳米；微米晶粒软磁母相与弥散在其中的微米晶粒硬磁相发生交换耦合。本发明软磁相的含量可以接近50％，从而可把磁能积的理论值提得很高；硬磁弥散相被软磁母相包裹，从而使材料的抗氧化性能、机械性能得到改善，甚至有可能具有机械加工性。稀土含量较低，有利于降低磁体成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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