多级式离子射流装置与方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200810201599.X
IPC分类号：--
申请日期：
2008-10-23
申请人：
上海交通大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	多级式离子射流装置与方法
申请号	CN200810201599.X	申请日期	2008-10-23
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2009-03-11	公开/公告号	CN101381005
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	上海交通大学	申请人地址	上海市闵行区东川路800号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海交通大学	当前权利人	上海交通大学
发明人	侯中宇;蔡炳初
代理机构	上海交达专利事务所	代理人	王锡麟;王桂忠

摘要

本发明公开一种航空航天技术领域和微电子技术领域的多级式离子射流装置与方法。所述装置包括第一、第二加速电极和末端镂空电极，第一和第二加速电极交替排列，构成多级电极结构，每两个相邻的第一和第二加速电极之间设置有绝缘层使得两者相互绝缘，末端镂空电极位于多级电极结构的末端，末端镂空电极和与其相邻的第一加速电极或第二加速电极之间设置有绝缘层使得两者相互绝缘。所述方法利用极化电极阵列尖端部分的电场收敛效应，使得电极邻近区域的电场强度增强，从而电离邻近区域的气体分子，采用多级式离子射流装置结构，施加电压，形成离子射流。本发明能够提高电离效率，降低工作电压，在多种气体—等离子体环境下工作。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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