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一种氧化镓基大功率光控微波器件

发明专利有效专利

申请号：
CN202110414332.4
IPC分类号：H01L31/032;H01L31/0224;H01L31/09
申请日期：
2021-04-16
申请人：
西安电子科技大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种氧化镓基大功率光控微波器件
申请号	CN202110414332.4	申请日期	2021-04-16
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-06	公开/公告号	CN113224183A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/032 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/0248 以其半导体本体为特征的〔5〕 H01L31/0256 以材料为特征的〔5〕 H01L31/0264 无机材料〔5〕 H01L31/032 除掺杂或其他杂质外，只包含未列入H01L 31/0272至H01L 31/0312各组的化合物〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;3;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4;;;H;0;1;L;3;1;/;0;9查看分类表>
申请人	西安电子科技大学	申请人地址	陕西省西安市雁塔区太白南路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安电子科技大学	当前权利人	西安电子科技大学
发明人	陆小力;马晓华;侯斌;王志成;郑雪峰;何云龙;郝跃
代理机构	西安嘉思特知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	刘长春

摘要

本发明涉及一种氧化镓基大功率光控微波器件，包括：衬底层以及在所述衬底层的上下表面对应设置的阳极和阴极，其中，所述衬底层为掺杂+2价离子的氧化镓材料。本发明的氧化镓基大功率光控微波器件，利用光控的氧化镓光导开关实现微波输出，实现了器件光电流和暗电流的巨大开关比，功率可以提升3个数量级，达到兆瓦量级，实现高功率光控微波输出。

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