加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210363424.5
  • IPC分类号:G02F1/1368;G02F1/1362
  • 申请日期:
    2012-09-26
  • 申请人:
    南京中电熊猫液晶显示科技有限公司
著录项信息
专利名称一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板及其制造方法
申请号CN201210363424.5申请日期2012-09-26
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-01-02公开/公告号CN102854684A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02F1/1368IPC分类号G;0;2;F;1;/;1;3;6;8;;;G;0;2;F;1;/;1;3;6;2查看分类表>
申请人南京中电熊猫液晶显示科技有限公司申请人地址
江苏省南京市仙林大道科技南路南京液晶谷南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人南京中电熊猫液晶显示科技有限公司当前权利人南京中电熊猫液晶显示科技有限公司
发明人焦峰;王海宏
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明提出一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板及其制造方法,包括:扫描线;信号线,与扫描线纵横交叉,像素单元,由扫描线和信号线交叉限定,所述每个像素单元包括薄膜晶体管和像素电极,所述薄膜晶体管包括与TFT栅极、TFT源极、以及TFT漏极,所述TFT源极、TFT漏极及像素电极位于底层;栅格状共通电极,位于顶层;第一绝缘层,覆盖在TFT源极、TFT漏极和像素电极之上;共通电极线,与所述栅格状共通电极线电性连接;第二绝缘层,覆盖在信号线、扫描线和共通电极线之上。本发明以金属氧化物作为TFT沟道半导体、源漏电极、栅格状像素电极或栅格状共通电极使用,可以提高TFT驱动能力和简化工艺。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供