一种低功耗晶体振荡器整形电路

发明专利有效专利

申请号：
CN201310434008.4
IPC分类号：H03B28/00
申请日期：
2013-09-23
申请人：
湘潭芯力特电子科技有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种低功耗晶体振荡器整形电路
申请号	CN201310434008.4	申请日期	2013-09-23
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-01-01	公开/公告号	CN103490729A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03B28/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03B 使用工作于非开关状态的有源元件电路，直接或经频率变换产生振荡；由这样的电路产生噪声（特别用于电子乐器的发生器入G10H；微波激射器或激光器入H01S；等离子体振荡的产生入H05H） H03B28/00 用H03B 5/00至H03B 27/00各组中未包含的方法产生振荡，包括为产生正弦振荡而进行的波形修正（为执行运算的模拟函数发生器入G06G 7/26）〔4〕	IPC分类号	H;0;3;B;2;8;/;0;0查看分类表>
申请人	湘潭芯力特电子科技有限公司	申请人地址	湖南省湘潭市高新区晓塘路9号创新大厦1207 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	湘潭芯力特电子科技有限公司	当前权利人	湘潭芯力特电子科技有限公司
发明人	张文杰;谢亮;金湘亮
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种低功耗晶体振荡器整形电路，第一PMOS管、第三PMOS管、第一NOMS管、第三NOMS管的栅极连接形成信号输入端，第一PMOS管、第一NMOS管的漏极与第二PMOS管、第二NMOS管的栅极连接，第二PMOS管、第二NMOS管的漏极与第四PMOS管、第四NMOS管的栅极连接形成信号输出端，第三PMOS管、第四PMOS管的漏极与第一POMS管的源极连接，第三NMOS管、第四NMOS管的漏极与第一NMOS管的源极连接，第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管的源极连接形成电源端，第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管的源极连接形成电源地，第二PMOS管与第二NMOS管形成第一反向器。本发明将正弦波信号整形为上升沿和下降沿都非常陡的方波信号，不仅整形电路自身消耗的功率小，而且能够减小后续时钟信号使用电路的功耗。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供