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闪存结构的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710166687.6
  • IPC分类号:H01L21/762;H01L21/76;H01L21/82;H01L21/8247;H01L21/84
  • 申请日期:
    2007-11-05
  • 申请人:
    茂德科技股份有限公司
著录项信息
专利名称闪存结构的制备方法
申请号CN200710166687.6申请日期2007-11-05
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2009-05-13公开/公告号CN101431044
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/762IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;2;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;7;;;H;0;1;L;2;1;/;8;4查看分类表>
申请人茂德科技股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹科学工业园 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人茂德科技股份有限公司当前权利人茂德科技股份有限公司
发明人潘建尉;曾增文;何明佑;许延有;钟志平;傅景鸿
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人许向华
摘要
本发明提出一种闪存结构的制备方法,首先形成多个介电区块于基板上并形成多个第一间隙壁于所述多个介电区块的侧壁,再利用蚀刻工艺局部去除未被所述第一间隙壁及所述介电区块覆盖的基板以形成多个第一沟槽于所述基板之中。之后,进行一沉积工艺以形成填满所述第一沟槽的隔离介电层并去除所述多个介电区块,再形成多个第二间隙壁于所述多个第一间隙壁的侧壁以及利用蚀刻工艺局部去除未被所述第一间隙壁、所述第二间隙壁及所述隔离介电层覆盖的基板以形成多个第二沟槽于所述基板之中。

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