QD发光层、量子点发光器件及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110702697.7
IPC分类号：H01L51/50;H01L51/56
申请日期：
2021-06-24
申请人：
合肥福纳科技有限公司

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专利名称	QD发光层、量子点发光器件及其制备方法
申请号	CN202110702697.7	申请日期	2021-06-24
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-21	公开/公告号	CN113421986A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/50 专门适用于光发射的，如有机发光二极管（OLED）或聚合物发光器件（PLED）（有机半导体激光器入 H01S 5/36）〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;5;0;;;H;0;1;L;5;1;/;5;6查看分类表>
申请人	合肥福纳科技有限公司	申请人地址	安徽省合肥市新站区新蚌埠路3768号佳海工业城一期G91栋变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	合肥福纳科技有限公司	当前权利人	合肥福纳科技有限公司
发明人	宋斌;梁凯旋;姚琪
代理机构	北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	赵丽婷

摘要

本发明公开了一种QD发光层、量子点发光器件及其制备方法，所述QD发光层包括：至少两层子QD发光层，紧贴着空穴传输层的所述子QD发光层包含的量子点的导带能级小于紧贴着电子传输层的所述子QD发光层包含的量子点的导带能级，且紧贴着空穴传输层的所述子QD发光层包含的量子点的价带能级大于紧贴着电子传输层的所述子QD发光层包含的量子点的价带能级。现有量子点发光二极管性能以及发光寿命普遍较差，本发明通过采用多种具有不同能级结构的量子点来适配对应的电子传输层以及空穴传输层，以此来平衡电子和空穴的注入平衡，从而提高量子点发光二极管的性能以及发光寿命。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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