一种垂直无籽晶化学气相法生长ZnO单晶的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201410855071.X
IPC分类号：C30B25/00;C30B29/16
申请日期：
2014-12-31
申请人：
西华师范大学

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专利名称	一种垂直无籽晶化学气相法生长ZnO单晶的方法
申请号	CN201410855071.X	申请日期	2014-12-31
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2015-04-29	公开/公告号	CN104562187A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B25/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B25/00 反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;5;/;0;0;;;C;3;0;B;2;9;/;1;6查看分类表>
申请人	西华师范大学	申请人地址	四川省南充市师大路1号物理与空间科学学院变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西华师范大学,中国工程物理研究院激光聚变研究中心	当前权利人	西华师范大学,中国工程物理研究院激光聚变研究中心
发明人	王茂州;曾体贤;杨辉;樊龙;彭丽萍;王雪敏;吴卫东;王新明
代理机构	北京科亿知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	汤东凤

摘要

本发明公开了一种垂直无籽晶化学气相法生长ZnO单晶的方法，主要由籽晶生长和单晶生长两个步骤组成。通过对管式炉内的温场及石英安瓿结构的优化来实现对晶体自发成核的控制，在籽晶生长阶段利用晶粒间的几何淘汰，显露出生长快的晶面，有效的提高了单晶生长速率。该发明较好的解决了化学气相法生长的ZnO单晶尺寸小、结晶度差等困难。采用该方法生长出的单晶尺寸较大，质量较高，且成本较低，操作简便，实用性强，是一种较好的优质ZnO单晶生长工艺。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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