具有相同特性的存储单元的半导体存储器及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN02119797.0
IPC分类号：--
申请日期：
2002-05-16
申请人：
日本电气株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	具有相同特性的存储单元的半导体存储器及其制造方法
申请号	CN02119797.0	申请日期	2002-05-16
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2002-12-18	公开/公告号	CN1385896
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	日本电气株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	瑞萨电子株式会社	当前权利人	瑞萨电子株式会社
发明人	笠井直记
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	朱进桂

摘要

在半导体存储器的制造方法中，下电极薄膜(60)经过层间绝缘薄膜(22，32，42，52)形成在半导体衬底(10)上。在单元阵列区均匀加热下电极层的同时，在下电极层上形成铁电薄膜(62)。在铁电薄膜上形成上电极薄膜(63)。在存储单元阵列区形成铁电电容器(70)。每个铁电电容器包括下电极薄膜，铁电薄膜和上电极薄膜。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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