用于预测芯片高温操作寿命的方法及装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201610196265.2
IPC分类号：H01L21/66
申请日期：
2016-03-31
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	用于预测芯片高温操作寿命的方法及装置
申请号	CN201610196265.2	申请日期	2016-03-31
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-10-24	公开/公告号	CN107293501A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/66 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/66 在制造或处理过程中的测试或测量〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;6查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
发明人	简维廷;朱月芹;宋永梁;赵永
代理机构	北京市磐华律师事务所	代理人	董巍;高伟

摘要

本发明提供一种用于预测芯片高温操作寿命的方法及装置。所述方法包括：对芯片内影响芯片的高温操作寿命的器件进行偏压温度不稳定性测试，并对芯片进行高温操作寿命测试；基于偏压温度不稳定性测试和高温操作寿命测试的测试结果建立器件的偏压温度不稳定性与芯片的高温操作寿命之间的关系；对随后批次芯片中的器件实施晶圆级偏压温度不稳定性测试；以及基于晶圆级偏压温度不稳定性测试的测试结果和关系预测随后批次芯片的高温操作寿命。本发明所提供的用于预测芯片高温操作寿命的方法及装置能够在高温操作寿命测试结果可用之前及早对器件的高温操作寿命进行预测，以及时反馈给项目团队用于工艺的改进，节省大量的测试时间和精力。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供