一种利用多晶硅块和鳞片石墨制备高纯碳化硅粉的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201410570173.7
IPC分类号：C01B31/36
申请日期：
2014-10-23
申请人：
中国电子科技集团公司第四十六研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种利用多晶硅块和鳞片石墨制备高纯碳化硅粉的方法
申请号	CN201410570173.7	申请日期	2014-10-23
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2015-03-11	公开/公告号	CN104401995A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B31/36 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B31/36 （转入C01B 32/956-C01B 32/991）	IPC分类号	C;0;1;B;3;1;/;3;6查看分类表>
申请人	中国电子科技集团公司第四十六研究所	申请人地址	天津市河西区洞庭路26号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国电子科技集团公司第四十六研究所	当前权利人	中国电子科技集团公司第四十六研究所
发明人	徐所成;徐永宽;孟大磊;张政;张皓
代理机构	天津中环专利商标代理有限公司	代理人	王凤英

摘要

本发明涉及一种利用多晶硅块和鳞片石墨制备高纯碳化硅粉的方法。其步骤（1）按质量比将多晶硅块置于石墨坩埚底层,将鳞片石墨均匀铺散在多晶硅块上面；（2）将坩埚放入感应炉中，抽真空4-10小时；（3）温度升至1300-1600℃，氩气流量0.1-5L/min，氢气流量0-1L/min，压力3-20mbar，保温2-4小时；（4）温度升至1800-2300℃，升温速率为10-30℃/min，保温2-10小时；（5）取出碳化硅粉在石墨研钵中粉碎，即得到高纯碳化硅粉。该方法制备的高纯SiC粉为淡黄色或黄黑色粉末，碳化硅的含量不低于99.9%。该方法具有工艺简单、生产成本低、生产周期短和SiC粉纯度高特点。

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