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一种背照式传感器及其制作工艺

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510771916.1
  • IPC分类号:H01L27/146
  • 申请日期:
    2015-11-12
  • 申请人:
    武汉新芯集成电路制造有限公司
著录项信息
专利名称一种背照式传感器及其制作工艺
申请号CN201510771916.1申请日期2015-11-12
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-03-30公开/公告号CN105448943A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/146IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;4;6查看分类表>
申请人武汉新芯集成电路制造有限公司申请人地址
湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人武汉新芯集成电路制造有限公司当前权利人武汉新芯集成电路制造有限公司
发明人胡胜
代理机构上海申新律师事务所代理人俞涤炯
摘要
本发明涉及半导体制备工艺技术领域,尤其涉及一种背照式传感器制作工艺,通过提供一内部制备有若干光电二极管的硅衬底;依次于所述硅衬底之上制备高K介电材料层、缓冲层和介质层;刻蚀所述介质层至所述缓冲层的上表面,于所述介质层上形成若干开口;于所述开口中填充氧化材料层,形成介质层中镶嵌有氧化材料层的背照式传感器,本技术方案公开的背照式传感器的制备工艺,制程简单,能够用于不同的背照式工艺的要求,提高了量子效率,从而提高了芯片的性能。

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