一种高灵敏度表面等离子体共振传感器

发明专利无效专利

申请号：
CN201010210397.9
IPC分类号：G01N21/41;G01N21/55
申请日期：
2010-06-28
申请人：
北京航空航天大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种高灵敏度表面等离子体共振传感器
申请号	CN201010210397.9	申请日期	2010-06-28
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2010-10-20	公开/公告号	CN101865841A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N21/41 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N21/00 利用光学手段，即利用红外光、可见光；或紫外光来测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 19/00优先） G01N21/17 入射光根据所测试的材料性质而改变的系统（其中所测试的材料因受到光学激发而引起入射光波长改变的入G01N 21/63）〔3〕 G01N21/41 折射率；影响相位的性质，例如光程长度（G01N 21/21优先）〔3〕	IPC分类号	G;0;1;N;2;1;/;4;1;;;G;0;1;N;2;1;/;5;5查看分类表>
申请人	北京航空航天大学	申请人地址	北京市海淀区学院路37号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京航空航天大学	当前权利人	北京航空航天大学
发明人	郑铮;姜宇;卞宇生;刘娅;朱劲松
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种高灵敏度表面等离子体共振传感器，该传感器依次由透明电介质基底(2)、低折射率介质薄层(3)和高折射率介质薄层(4)交替组成的多层介质层以及金属薄膜层(5)组成，传感器的透明电介质基底的一侧与耦合棱镜(1)相临，金属薄膜层的一侧与被测样品(6)相临，多层介质层中的低折射率介质薄层和高折射率介质薄层的总层数为奇数，且各层厚度均不相等，与透明电介质基底和金属薄膜层相临的都是多层介质层中的低折射率介质薄层。该传感器相比于传统基于单层金属薄膜层的表面等离子体共振传感器，其灵敏度显著提升，同时多层介质层结构相对简单，总厚度较小，易于加工并降低了成本，因此具有较强的实用价值。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供