著录项信息
专利名称 | 一种温漂系数可调的差动变压器式位移传感器 |
申请号 | CN201120092691.4 | 申请日期 | 2011-04-01 |
法律状态 | 权利终止 | 申报国家 | 中国 |
公开/公告日 | | 公开/公告号 | |
优先权 | 暂无 | 优先权号 | 暂无 |
主分类号 | G01B7/02 | IPC分类号 | G;0;1;B;7;/;0;2查看分类表>
|
申请人 | 合肥高创传感器有限公司 | 申请人地址 | 安徽省合肥市高新区留学生1号楼307室
变更
专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效 |
权利人 | 合肥高创传感器有限公司 | 当前权利人 | 合肥高创传感器有限公司 |
发明人 | 李为 |
代理机构 | 合肥天明专利事务所 | 代理人 | 吴娜 |
摘要
本实用新型涉及一种温漂系数可调的差动变压器式位移传感器,包括差动变压器LVDT,所述差动变压器LVDT的初级线圈与电压/电流混合激励电路的输出端相连,差动变压器LVDT的初级线圈与电压/电流混合激励电路构成回路,电压/电流混合激励电路的输入端与震荡器的输出端相连,差动变压器LVDT的次级线圈与解调放大电路的输入端相连。本实用新型中的电压/电流混合激励电路会产生温漂,根据阻抗回路原理,其温漂方向与η的温漂方向相反,通过改变电压/电流混合比使其温漂与η的温漂大小相等方向相反,这样就能很好的解决差动变压器的温漂问题。本实用新型的成本低,大大提高了位移传感器的精度。
1.一种温漂系数可调的差动变压器式位移传感器,包括差动变压器LVDT,其特征在于:所述差动变压器LVDT的初级线圈与电压/电流混合激励电路(2)的输出端相连,差动变压器LVDT的初级线圈与电压/电流混合激励电路(2)构成回路,电压/电流混合激励电路(2)的输入端与震荡器(1)的输出端相连,差动变压器LVDT的次级线圈与解调放大电路(3)的输入端相连。
2.根据权利要求1所述的温漂系数可调的差动变压器式位移传感器,其特征在于:所述的电压/电流混合激励电路(2)包括激励放大器IC, 激励放大器IC的同相输入端接电阻R1的一端,电阻R1的另一端接地,激励放大器IC的反相输入端接震荡器(1)的输出端,激励放大器IC的输出端接差动变压器LVDT的初级线圈,电阻R2跨接在激励放大器IC的反相输入端、输出端上,电阻R3的一端接激励放大器IC的反相输入端,电阻R3的另一端分别与电阻R4、差动变压器LVDT的初级线圈相连,电阻R4的另一端接地。
3.根据权利要求1所述的温漂系数可调的差动变压器式位移传感器,其特征在于:所述的差动变压器LVDT的次级线圈由第一、二次级线圈组成,第一、二次级线圈分别与解调放大电路(3)的输入端相连。
一种温漂系数可调的差动变压器式位移传感器\n技术领域\n[0001] 本实用新型涉及一种位移传感器,尤其是一种温漂系数可调的差动变压器式位移传感器。\n背景技术\n[0002] 差动变压器式位移传感器的应用已有几十年的历史,它具有抗干扰能力强、使用寿命长、能适应各种恶劣环境等特点而被广泛应用。然而,差动变压器(LVDT)有一定的温度漂移,这种漂移长期以来一直没能得到很好的解决,这直接影响到差动变压器式位移传感器的精度,只能使这种传感器应用在中低精度的场所,传统的差动变压器式位移传感器的原理框图如图1所示。\n[0003] 由图1可以看出传感器的输出信号是由两次级线圈上的电压相减而成。当铁芯在中间位置时,两次级线圈上的温漂相减而抵消;当铁芯偏离中间位置时,两次级线圈的温漂一大一小,他们相减无法抵消而产生温漂。这种温漂随着铁芯的偏移量增大而增大,温漂曲线如图2所示,其中其中横坐标轴S为位移,纵坐标轴V为输出信号。差动变压器(LVDT)的温漂非常复杂,这也就是长期以来一直没能得到很好解决的原因。 \n实用新型内容\n[0004] 本实用新型的目的在于提供一种成本低、能够最大程度减小温漂、精度高的温漂系数可调的差动变压器式位移传感器。\n[0005] 为实现上述目的,本实用新型采用了以下技术方案:一种温漂系数可调的差动变压器式位移传感器,包括差动变压器LVDT,所述差动变压器LVDT的初级线圈与电压/电流混合激励电路的输出端相连,差动变压器LVDT的初级线圈与电压/电流混合激励电路构成回路,电压/电流混合激励电路的输入端与震荡器的输出端相连,差动变压器LVDT的次级线圈与解调放大电路的输入端相连。\n[0006] 由上述技术方案可知,本实用新型与传统的差动变压器式位移传感器相比,将恒压激励电路改成电压/电流混合激励电路,这种电压/电流混合激励电路会产生温漂,根据阻抗回路原理,其温漂方向与η的温漂方向相反,通过改变电压/电流混合比使其温漂与η的温漂大小相等方向相反,这样就能很好的解决差动变压器的温漂问题。本实用新型的成本低,大大提高了位移传感器的精度。\n附图说明\n[0007] 图1是传统的差动变压器式位移传感器的电路框图;\n[0008] 图2是差动变压器LVDT的温漂曲线;\n[0009] 图3、4均为本实用新型的电路框图。\n具体实施方式\n[0010] 一种温漂系数可调的差动变压器式位移传感器,包括差动变压器LVDT,所述差动变压器LVDT的初级线圈与电压/电流混合激励电路2的输出端相连,差动变压器LVDT的初级线圈与电压/电流混合激励电路2构成回路,电压/电流混合激励电路2的输入端与震荡器1的输出端相连,差动变压器LVDT的次级线圈与解调放大电路3的输入端相连,如图3所示。\n[0011] 由于构成差动变压器LVDT的所有材料几乎都会产生温漂,只不过它们的影响量有大有小,下面对影响量较大的差动变压器LVDT材料作出介绍。\n[0012] 第一,内外管:内外管会产生电涡流,这种电涡流对差动变压器LVDT是损耗,损耗的大小与内外管的电阻率有关,而电阻率会受温度的影响。因此,内外管会产生温漂,其温漂的性质是正温漂,即内外管的温度升高时,位移传感器的输出也随着升高;\n[0013] 第二,线圈:线圈的电阻和体积会随着温度的升高而增大,这会引起初次级互感量的变化而产生温漂。线圈温漂的性质是负温漂,即线圈的温度升高时,传感器的输出随着降低。\n[0014] 第三,铁芯:铁芯既是导磁体又是涡流体,当铁芯温度升高时,导磁率会下降,它的影响远远大于涡流的影响。铁芯温漂的性质是负温漂,铁芯的个体差异比较大,它们的温漂差别有时可达几十倍,这与它们的材料成分、含杂质的多少、热处理、工作频率等因素有关。\n[0015] 从以上分析可以看出,差动变压器LVDT的温漂非常复杂,这也是长期以来一直温漂没能得到很好解决的原因。 \n[0016] 所有的变压器初次级电压关系可由公式(1)表达:\n[0017] Vc = ηVo (1)\n[0018] 式(1)中Vc是次级电压,Vo是初级电压,η是系数,它与变压器的涡流损耗、铁芯的导磁率、线圈的变压比、震荡频率等因数有关。如果Vo是稳定的恒压源,那么输出电压Vc就会随着η的波动而波动。\n[0019] 如图4所示,所述的电压/电流混合激励电路2包括激励放大器IC, 激励放大器IC的同相输入端接电阻R1的一端,电阻R1的另一端接地,激励放大器IC的反相输入端接震荡器1的输出端,激励放大器IC的输出端接差动变压器LVDT的初级线圈,电阻R2跨接在激励放大器IC的反相输入端、输出端上,电阻R3的一端接激励放大器IC的反相输入端,电阻R3的另一端分别与电阻R4、差动变压器LVDT的初级线圈相连,电阻R4的另一端接地。\n所述的差动变压器LVDT的次级线圈由第一、二次级线圈组成,第一、二次级线圈分别与解调放大电路3的输入端相连。\n[0020] 如图4所示,震荡器1向电压/电流混合激励电路2提供一个频率为2K左右的震荡信号,电阻R1、R2、R3、R4、激励放大器IC构成电压/电流混合激励电路2。在此电路中,当电阻R3为无穷大时,电压/电流混合激励就变成了恒压激励,所谓的恒压激励是指变压器的初级电压Vo是恒定的,这时,如果产生温漂,η发生变化,则根据公式(1)可知,变压器的次级电压Vc也随之变化,导致传感器的检测精度变低;当电阻R3为零时,电压/电流混合激励就变成了恒流激励,因此改变电阻R3的阻值就能改变电压/电流混合激励比。\n[0021] 如图4所示,电压/电流混合激励电路2对震荡信号进行放大,产生一个约5V的电压/电流混合激励信号,对差动变压器LVDT的初级进行激励。当产生温漂时,若η变小,则差动变压器LVDT的初级线圈阻抗变大,初级电压Vo变大,由于η的变化方向与初级电压Vo的变化方向相反,能够最大程度的抵消温漂所产生的影响;反之亦成立。针对不同量程的传感器参数进行温度补偿调试,确定出电阻R3的阻值,电阻R3用于调节温漂灵敏度,电阻R4用于配合电阻R3调节温漂灵敏度,这样就能起到很好的温度补偿作用。当差动变压器LVDT的铁芯产生位移时,两个次级线圈就产生差动信号V1和V2,通过解调放大电路3输出一个自动控制系统能识别的模拟信号Vc。\n[0022] 本实用新型与传统的电路相比,把恒压激励改成了电压/电流混合激励电路2,这种混合激励电路会产生温漂,根据阻抗回路原理,其温漂方向与η的温漂方向相反。通过改变电压/电流混合比,也就是改变电阻R3阻值的大小,使其温漂与η的温漂大小相等方向相反,这样就能很好的解决差动变压器的温漂问题。
法律信息
- 2017-05-24
未缴年费专利权终止
IPC(主分类): G01B 7/02
专利号: ZL 201120092691.4
申请日: 2011.04.01
授权公告日: 2011.10.05
- 2011-10-05
引用专利(该专利引用了哪些专利)
序号 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日 | 申请日 | 专利名称 | 申请人 | 该专利没有引用任何外部专利数据! |
被引用专利(该专利被哪些专利引用)
序号 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日 | 申请日 | 专利名称 | 申请人 | 1 | | 2015-11-25 | 2015-11-25 | | |
2 | | 2012-03-15 | 2012-03-15 | | |
3 | | 2012-03-15 | 2012-03-15 | | |
4 | | 2012-03-15 | 2012-03-15 | | |
5 | | 2015-05-08 | 2015-05-08 | | |
6 | | 2015-11-25 | 2015-11-25 | | |
7 | | 2015-05-18 | 2015-05-18 | | |