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半导体衬底和半导体器件及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN03160302.5
  • IPC分类号:H01L29/72;H01L29/78;H01L21/328;H01L21/336
  • 申请日期:
    2003-09-26
  • 申请人:
    三菱电机株式会社
著录项信息
专利名称半导体衬底和半导体器件及其制造方法
申请号CN03160302.5申请日期2003-09-26
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2004-05-05公开/公告号CN1494162
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/72
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;2;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人三菱电机株式会社申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三菱电机株式会社当前权利人三菱电机株式会社
发明人金田充;高桥英树
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人马铁良;梁永
摘要
获得可保持双向耐压、且可靠性高的半导体器件及其制造方法和半导体衬底及其制造方法。为此,N-型硅衬底(1)具有相对的底面和上表面。基于P型杂质的扩散,在N-型硅衬底(1)的底面内全面形成高浓度的P型杂质扩散层(3)。而且,基于P型杂质的扩散,在N-型硅衬底(1)的上表面内局部形成P型隔离区(2)。P型隔离区(2)具有抵达P型杂质扩散层(3)的上表面的底面。另外,当从N-型硅衬底(1)的上表面一侧观察时,P型隔离区(2)包围作为N-型硅衬底(1)的一部分的N-区(1a)而形成。并且,被P型隔离区(2)包围的上述N-区(1a)被规定为N-型硅衬底(1)的元件形成区。

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