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基于SiC衬底的AlGaN基多量子阱uv-LED器件及制作方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200910021761.4
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2009-03-31
  • 申请人:
    西安电子科技大学
著录项信息
专利名称基于SiC衬底的AlGaN基多量子阱uv-LED器件及制作方法
申请号CN200910021761.4申请日期2009-03-31
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2009-08-26公开/公告号CN101515615
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人西安电子科技大学申请人地址
陕西省西安市太白路2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安电子科技大学当前权利人西安电子科技大学
发明人郝跃;杨凌;马晓华;周小伟;李培咸
代理机构陕西电子工业专利中心代理人王品华;黎汉华
摘要
本发明公开了一种基于SiC衬底的AlGaN基uv-LED器件及其制作方法,它涉及到微电子技术领域。该器件自下而上依次包括低温AlN成核层(2)、高温AlN成核层(3)、本征AlGaN外延层(4)、n-AlGaN势垒层(5)、有源区(6)、p-AlGaN势垒层(7)、低Al组分p型AlGaN层(8)、p型GaN冒层(9),以及在p型GaN冒层设有的窗口区(10)。该器件通过干法刻蚀p-GaN冒层至电子势垒层p-AlGaN,形成了圆柱状的出射光窗口,二次湿法刻蚀将柱状出射光窗口变为圆锥状窗口,增大了窗口的出射孔径,同时使得出射光的传播距离减少。本发明由于采用刻蚀的方法使得电子势垒层p-AlGaN的表面粗化,进一步提高了出射光的出射效率,且工艺简单,成本低,重复性好,可靠性高,可用于水质检测,医疗探测、生物制药以及白光照明中。

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