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一种氧化镓基场效应晶体管

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201921416886.2
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L29/41;H01L29/78
  • 申请日期:
    2019-08-28
  • 申请人:
    西安电子科技大学
著录项信息
专利名称一种氧化镓基场效应晶体管
申请号CN201921416886.2申请日期2019-08-28
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;4;1;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人西安电子科技大学申请人地址
陕西省西安市雁塔区太白南路2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安电子科技大学当前权利人西安电子科技大学
发明人苏杰;张君敬;林珍华;常晶晶;郝跃
代理机构西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙)代理人徐云侠
摘要
本实用新型公开了一种氧化镓基场效应晶体管,属于半导体电子技术领域,包括衬底,所述衬底上部设有绝缘层,所述绝缘层上部设有氧化镓沟道层,所述氧化镓沟道层上部两端分别设有二维层状材料界面修饰层,两端的所述二维层状材料界面修饰层上部分别设有源漏区电极,所述氧化镓沟道层上部在两个所述源漏区电极之间设有介质层,所述介质层上部设有栅电极;本实用新型设有二维层状材料界面修饰层,克服了现有技术的金属直接与氧化镓沟道层接触使得接触特性受表面氧悬挂键影响且接触电阻较大的问题,使得氧化镓基场效应晶体管具有较低的电极接触电阻,较高的载流子注入效率。

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