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改进氢化物气相外延生长GaN材料均匀性的装置

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810019104.1
  • IPC分类号:H01L21/205;C30B25/02;C30B29/40;C30B29/38
  • 申请日期:
    2008-01-11
  • 申请人:
    南京大学
著录项信息
专利名称改进氢化物气相外延生长GaN材料均匀性的装置
申请号CN200810019104.1申请日期2008-01-11
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2008-10-08公开/公告号CN101281864
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/205IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;0;5;;;C;3;0;B;2;5;/;0;2;;;C;3;0;B;2;9;/;4;0;;;C;3;0;B;2;9;/;3;8查看分类表>
申请人南京大学申请人地址
江苏省南京市汉口路22号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人南京大学当前权利人南京大学
发明人修向前;张荣;陆海;谢自力;顾书林;施毅;韩平;朱顺明;胡立群;郑有炓
代理机构南京天翼专利代理有限责任公司代理人汤志武;王鹏翔
摘要
改进氢化物气相外延生长GaN材料均匀性的方法,在HVPE生长过程中,将GaCl或者NH3源气体通过石英喷淋头均匀喷洒在生长衬底的表面上。喷淋头由均匀分布的小孔组成石英板喷淋头,石英板喷淋头与生长衬底平行。本发明通过特别的设计控制源气体GaCl或者NH3在衬底表面的均匀分布,从而改善衬底上方发生反应的源气体的分布更加均匀合适。矩形(方形)结构的喷淋头设计,可以使得气流分布的更加均匀,样品无需旋转。

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