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一种采用MEMS电容阵列的电压比较法放大电路及其制作方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201711014350.3
IPC分类号：B81B7/02;B81C1/00
申请日期：
2017-10-26
申请人：
江苏西贝电子网络有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种采用MEMS电容阵列的电压比较法放大电路及其制作方法
申请号	CN201711014350.3	申请日期	2017-10-26
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2018-04-27	公开/公告号	CN107963608A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81B7/02 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81B 微观结构的装置或系统，例如微观机械装置（压电元件、电致伸缩元件或磁致伸缩元件本身入H01L41/00）〔7〕 B81B7/00 微观结构系统〔7，2006.01〕 B81B7/02 包括功能上有特定关系的不同的电或光学装置，例如微电子—机械系统（MEMS）（B81B7/04优先）〔7，2006.01〕	IPC分类号	B;8;1;B;7;/;0;2;;;B;8;1;C;1;/;0;0查看分类表>
申请人	江苏西贝电子网络有限公司	申请人地址	江苏省扬州市头桥镇西贝路变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	江苏西贝电子网络有限公司	当前权利人	江苏西贝电子网络有限公司
发明人	陈曦;瞿涛;卓文君;王俊力;贾文章
代理机构	常州市夏成专利事务所（普通合伙）	代理人	万花

摘要

本发明的主要在于提供一种MEMS电容阵列的电压比较法放大电路及其制作方法，将放大电路与电容结构结合，直接在原电容基础上对信号进行放大，并且采用电容阵列的形式，是结构更加稳定，能够应用于具有电容结构的传感器。

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