嵌入式外延层的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110330203.7
IPC分类号：H01L21/336;H01L29/78;H01L29/08;H01L29/36
申请日期：
2021-03-29
申请人：
上海华力集成电路制造有限公司

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引证文献

著录项信息

专利名称	嵌入式外延层的制造方法
申请号	CN202110330203.7	申请日期	2021-03-29
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-07-20	公开/公告号	CN113140462A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/336 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/334 制造单极型器件的台阶式工艺〔5〕 H01L21/335 场效应晶体管〔5〕 H01L21/336 带有绝缘栅的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;8;;;H;0;1;L;2;9;/;3;6查看分类表>
申请人	上海华力集成电路制造有限公司	申请人地址	上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华力集成电路制造有限公司	当前权利人	上海华力集成电路制造有限公司
发明人	涂火金;张瑜
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	郭四华

摘要

本发明公开了一种嵌入式外延层的制造方法，包括步骤：步骤一、对硅衬底进行刻蚀形成凹槽；步骤二、在凹槽中填充嵌入式外延层，包括：步骤21、形成缓冲层；步骤22、在缓冲层的表面上形成主体层；主体层采用在硅中掺杂实现对凹槽两侧的硅衬底提供应力，在外延生长过程中主体层的掺杂浓度为渐变掺杂以消除层错缺陷并进而防止主体层产生坍塌；步骤23、形成盖帽层，由缓冲层、主体层和盖帽层叠加形成嵌入式外延层；缓冲层、主体层和盖帽层的材料相同，缓冲层和盖帽层的掺杂浓度都小于等于主体层的最低掺杂浓度。本发明能防止嵌入式外延层的主体层产生坍塌，从而从而能提高产品的性能和良率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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