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*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

电阻式随机存取存储器装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201711246858.6
  • IPC分类号:H01L45/00
  • 申请日期:
    2017-12-01
  • 申请人:
    台湾积体电路制造股份有限公司
著录项信息
专利名称电阻式随机存取存储器装置
申请号CN201711246858.6申请日期2017-12-01
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-01-01公开/公告号CN109119532A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L45/00IPC分类号H;0;1;L;4;5;/;0;0查看分类表>
申请人台湾积体电路制造股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人台湾积体电路制造股份有限公司当前权利人台湾积体电路制造股份有限公司
发明人金海光;林杏莲;蔡正原;朱文定
代理机构隆天知识产权代理有限公司代理人冯志云;张福根
摘要
本公开实施例涉及电阻式随机存取存储器装置。在一些实施例中,电阻式随机存取存储器装置包含下电极设置于导电下部内连线层上,上电极位于下电极之上,以及多层数据存储结构介于下电极与上电极之间。多层数据存储结构具有第一和第二子层。第一子层具有来自于第一组金属的第一金属、来自于第二组金属的第二金属的第一浓度以及氧。第二子层具有来自于第一组金属的第三金属、来自于第二组金属的第四金属的非零第二浓度以及氧。非零第二浓度小于第一浓度,并且使得形成于第二子层内的导电细丝宽于形成于第一子层内的导电细丝。

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