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半导体沉积设备

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN201720394574.0
  • IPC分类号:C23C16/455;C23C16/52
  • 申请日期:
    2017-04-16
  • 申请人:
    贵州师范学院
著录项信息
专利名称半导体沉积设备
申请号CN201720394574.0申请日期2017-04-16
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C16/455IPC分类号C;2;3;C;1;6;/;4;5;5;;;C;2;3;C;1;6;/;5;2查看分类表>
申请人贵州师范学院申请人地址
贵州省贵阳市乌当区高新路115号贵州师范学院 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人贵州师范学院当前权利人贵州师范学院
发明人余宏
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本实用新型公开了一种半导体沉积设备,包括沉积腔盖,所述沉积腔盖底部设有若干喷气组件,所述喷气组件包括喷气头及自锁气缸,所述自锁气缸缸体连接至沉积腔盖,其活塞杆的端部连接至喷气头的上表面;还包括传感器、电磁阀与信号处理器,所述传感器为压力传感器/距离传感器,所述喷气头下表面圆心处设有凹槽,所述传感器设于所述凹槽内,所述传感器的输出端连接至信号处理器的输入端,所述电磁阀设于供气管上以控制其导通/关闭,所述信号处理器的输出端连接至电磁阀。本实用新型一次性实现喷气头与晶片之间间距调节,自动化程度高,操作方便,避免人为失误。

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