发光装置及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN02800098.6
IPC分类号：H01L51/50;H01L51/56
申请日期：
2002-01-10
申请人：
索尼公司

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著录项信息

专利名称	发光装置及其制造方法
申请号	CN02800098.6	申请日期	2002-01-10
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2003-11-12	公开/公告号	CN1456026
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/50 专门适用于光发射的，如有机发光二极管（OLED）或聚合物发光器件（PLED）（有机半导体激光器入 H01S 5/36）〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;5;0;;;H;0;1;L;5;1;/;5;6查看分类表>
申请人	索尼公司	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	索尼公司	当前权利人	索尼公司
发明人	平野贵之
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	曾祥凌

摘要

一种制作顶发射形发光装置的方法，能保持稳定发光效率且无漏电流。该发光装置(10)包括置于衬底(1)上的下电极(4)、置于下电极(4)上的至少有一个发光层(6c)的有机层(6)、和置于有机层(6)上的透光上电极(7)。在该发光装置(10)中，下电极(4)有两层结构，包括金属材料层和置于金属材料层上的缓冲薄膜层，其中所述金属材料层由金属材料铬、钼、钨、钽、铌、镍或者铂构成。缓冲薄膜层由构成金属材料层的金属材料的氧化物中电导率比有机层(6)高的材料或铬的氧化物制成。因此，做成由缓冲薄膜层而使金属材料层的表面粗糙度得到缓和的二层结构，保证了下电极(4)和透光的上电极(7)之间间隔的均一性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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