双极性晶体管及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201110210238.3
IPC分类号：H01L21/331;H01L29/73;H01L29/06
申请日期：
2011-07-15
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	双极性晶体管及其制造方法
申请号	CN201110210238.3	申请日期	2011-07-15
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-03-21	公开/公告号	CN102386093A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/331 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/328 制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺〔5〕 H01L21/33 包括3个或更多电极的器件〔5〕 H01L21/331 晶体管〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;3;1;;;H;0;1;L;2;9;/;7;3;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	郭俊聪;刘世昌;蔡嘉雄
代理机构	隆天国际知识产权代理有限公司	代理人	张浴月;张志杰

摘要

本发明提供一种双极性晶体管(bipolarjunctiontransistor，BJT)装置及其形成方法。在一实施例中，双极性晶体管装置包括：具有集电极区(collectorregion)的半导体基板，及暴露在半导体基板上的材料层。材料层中具有沟槽，而暴露出集电极区的一部分。在材料层的沟槽中暴露出基极结构(basestructure)、间隙物、发射极结构(emitterstructure)。各间隙物具有上宽(topwidth)及底宽(bottomwidth)，上宽大体上与底宽相等。本发明提供装置性能的提升。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供