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一种横向导通型GaN混合pn肖特基功率二极管

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN202023161369.0
  • IPC分类号:H01L29/872;H01L29/06;H01L29/20;H01L21/329
  • 申请日期:
    2020-12-23
  • 申请人:
    宁波铼微半导体有限公司
著录项信息
专利名称一种横向导通型GaN混合pn肖特基功率二极管
申请号CN202023161369.0申请日期2020-12-23
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/872
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;8;7;2;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;2;0;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;9查看分类表>
申请人宁波铼微半导体有限公司申请人地址
浙江省宁波市北仑区大碶街道微山湖路16号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人宁波铼微半导体有限公司当前权利人宁波铼微半导体有限公司
发明人李柳暗;王婷婷;敖金平
代理机构西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)代理人李园园
摘要
本实用新型公开了一种横向导通型GaN混合pn肖特基功率二极管,包括自下往上依次设置的衬底层、应力缓冲层、GaN外延层和p‑GaN掩埋层,其中,GaN外延层上表面未被p‑GaN掩埋层覆盖的部分设置有GaN沟道层,并且GaN沟道层还覆盖p‑GaN掩埋层上表面的一部分;GaN沟道层的上表面设置有势垒层;势垒层的上表面两侧分别设置有p‑GaN盖帽层和欧姆接触电极,p‑GaN盖帽层位于p‑GaN掩埋层的上方;p‑GaN盖帽层的上表面以及p‑GaN掩埋层上表面未被GaN沟道层覆盖的部分设置有肖特基电极。本实用新型在凹槽阳极结构降低肖特基二极管导通电压的基础上,利用p‑GaN掩埋层形成并联的pn结二极管,提高抗浪涌电流能力及降低器件的导通电阻,同时利用p‑GaN盖帽层提升反向耐压能力。

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