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一种基于稠环吸电子母核的非掺杂空穴传输材料及其合成方法和应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110255570.5
  • IPC分类号:C07D513/14;C07D513/22;H01L51/46;H01L51/42
  • 申请日期:
    2021-03-09
  • 申请人:
    嘉兴学院
著录项信息
专利名称一种基于稠环吸电子母核的非掺杂空穴传输材料及其合成方法和应用
申请号CN202110255570.5申请日期2021-03-09
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-07-27公开/公告号CN113173936A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C07D513/14IPC分类号C;0;7;D;5;1;3;/;1;4;;;C;0;7;D;5;1;3;/;2;2;;;H;0;1;L;5;1;/;4;6;;;H;0;1;L;5;1;/;4;2查看分类表>
申请人嘉兴学院申请人地址
浙江省嘉兴市秀洲区康和路1288号光伏科创园2号楼 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人嘉兴学院当前权利人嘉兴学院
发明人尹新星;李在房;宋嘉兴;胡林;苏振;金英芝
代理机构杭州斯可睿专利事务所有限公司代理人钦荣燕
摘要
本发明公开了一种基于稠环吸电子母核的非掺杂空穴传输材料及其合成方法以及在钙钛矿太阳能电池中的应用。本发明以具有吸电子能力的苯并噻二唑多元稠环为母核,其吸电子特性和平面共轭结构能有效提升材料的空穴传输性能。本发明合成方法简单,合成成本低廉,所合成的材料具有高空穴传输能力和合适的能级;应用于钙钛矿太阳能电池中作为空穴传输层时,无需掺杂即可获得>1.1V的高开路电压和>19%的光电转化效率,具有广阔的应用前景。

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