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具有双闭环控制的软开关埋弧焊逆变电源

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN03113926.4
  • IPC分类号:H02M7/00;H02M7/5387;H02M1/08;H02M1/14;H02M1/12;B23K9/09;B23K9/10
  • 申请日期:
    2003-03-17
  • 申请人:
    华南理工大学
著录项信息
专利名称具有双闭环控制的软开关埋弧焊逆变电源
申请号CN03113926.4申请日期2003-03-17
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2003-08-27公开/公告号CN1438760
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H02M7/00IPC分类号H;0;2;M;7;/;0;0;;;H;0;2;M;7;/;5;3;8;7;;;H;0;2;M;1;/;0;8;;;H;0;2;M;1;/;1;4;;;H;0;2;M;1;/;1;2;;;B;2;3;K;9;/;0;9;;;B;2;3;K;9;/;1;0查看分类表>
申请人华南理工大学申请人地址
浙江省杭州市西湖区转塘街道转塘科技经济区块8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人德力西(杭州)变频器有限公司当前权利人德力西(杭州)变频器有限公司
发明人黄石生;李阳;陆沛涛;杜贵平;王振民
代理机构广州粤高专利代理有限公司代理人李卫东
摘要
本发明是一种具有双闭环控制的软开关埋弧焊逆变电源,其中,内环电流检测环节与斜率补偿环节相连接后,同相移式脉宽调制环节相连接,平均电流电压检测环节还通过误差放大器连接有控制器,控制器还与驱动环节相连接,驱动环节的输出与相移式全桥逆变环节相连接,上述内环电流检测环节、斜率补偿环节、相移式脉宽调制环节、驱动环节和相移式全桥逆变环节构成内环峰值电流控制电路;外环平均电流控制采用了模糊智能控制,高频功率变压器的次级与次级高频整流滤波环节之间串接有磁开关。本发明通过双闭环控制,提高了系统的动态性能;功率变压器采用开放式结构,提高了电源的热效率;磁开关与激磁电感、漏感共同作用,实现了全范围软开关。

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