一种基于范德华异质结的隧穿型光电探测器及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010615790.X
IPC分类号：H01L31/113;H01L31/0224;H01L31/032;H01L31/18
申请日期：
2020-06-30
申请人：
哈尔滨工业大学

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专利名称	一种基于范德华异质结的隧穿型光电探测器及其制备方法
申请号	CN202010615790.X	申请日期	2020-06-30
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2020-09-18	公开/公告号	CN111682088A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/113 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/08 其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器〔2〕 H01L31/10 特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管〔2〕 H01L31/101 对红外、可见或紫外辐射敏感的器件〔5〕 H01L31/112 以场效应工作为特征的，如结型场效应光敏晶体管〔5〕 H01L31/113 为导体—绝缘体—半导体型的，如金属—绝缘体—半导体场效应晶体管〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;1;3;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;2;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	哈尔滨工业大学	申请人地址	黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	哈尔滨工业大学	当前权利人	哈尔滨工业大学
发明人	胡平安;高峰;张甲
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明属于半导体光电探测技术领域，具体涉及一种基于范德华异质结的隧穿光电探测器及其制备方法，利用金属型二维材料作为载流子传输层，绝缘型二维材料作为阻挡层及隧穿层，半导体型二维材料作为光电转换材料。本器件结构从下到上依次包括：衬底(1)、金属型二维材料层(2)、绝缘型二维材料隧穿层(3)、半导体型二维材料吸光层(4)、金属电极(5)。器件工作时，绝缘型二维材料在黑暗中起到阻挡层作用，提高势垒阻止电子传输，有效降低器件暗电流；在光照射下，外加偏压使绝缘型二维材料层发生隧穿效应，成为光生载流子的传导阶梯，并发生载流子倍增效应，有效提高器件光电流。该器件具有高响应率、高探测率、高光开关比、快响应等特点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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