一种蓝宝石晶体生长热场结构及其生长方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110271473.5
IPC分类号：C30B15/14;C30B15/20;C30B29/20;C30B33/02
申请日期：
2021-03-12
申请人：
内蒙古晶环电子材料有限公司

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专利名称	一种蓝宝石晶体生长热场结构及其生长方法
申请号	CN202110271473.5	申请日期	2021-03-12
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-07-02	公开/公告号	CN113061981A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B15/14 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B15/00 熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕 C30B15/14 熔融液或已结晶化材料的加热〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;5;/;1;4;;;C;3;0;B;1;5;/;2;0;;;C;3;0;B;2;9;/;2;0;;;C;3;0;B;3;3;/;0;2查看分类表>
申请人	内蒙古晶环电子材料有限公司	申请人地址	内蒙古自治区呼和浩特市金桥经济开发区工业二区宝力尔街变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	内蒙古晶环电子材料有限公司	当前权利人	内蒙古晶环电子材料有限公司
发明人	欧阳鹏根;张俊;曹建伟;石刚;宋建军;付春雷
代理机构	杭州中成专利事务所有限公司	代理人	朱莹莹;周世骏

摘要

本发明公开一种蓝宝石晶体生长热场结构及其生长方法，包括坩埚的侧、顶和底部均设置加热器，分别为侧加热器、顶加热器和底加热器，这些加热器可独立控制功率。所述生长方法中原位退火包括：侧和底加热器分别缓慢降低功率，顶加热器缓慢增加功率，直到顶部测温单元测温度达1900℃，降温过程下降不超过20℃/hr；顶、侧、底加热器功率不变，维持20hr；顶、侧、底加热器分别缓慢降低功率，直到顶部测温单元测温度达1000℃，降温过程下降不超过20℃/hr；顶、侧、底加热器功率不变，维持20hr；顶、侧、底加热器分别缓慢降低功率到零，冷却到晶体常温，降温过程下降不超过30℃/hr。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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