一种MoS2基量子阱型调制掺杂场效应晶体管

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201820167764.3
IPC分类号：H01L29/06;H01L29/417;H01L29/45;H01L29/786;H01L21/28;H01L21/336;B82Y30/00;B82Y40/00
申请日期：
2018-01-31
申请人：
华南理工大学

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专利名称	一种MoS2基量子阱型调制掺杂场效应晶体管
申请号	CN201820167764.3	申请日期	2018-01-31
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/06 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/02 按其半导体本体的特征区分的〔2〕 H01L29/06 按其形状区分的；按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;4;1;7;;;H;0;1;L;2;9;/;4;5;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	华南理工大学	申请人地址	广东省广州市天河区五山路381号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华南理工大学	当前权利人	华南理工大学
发明人	李国强;黄烈根;王文樑;郑昱林
代理机构	广州市华学知识产权代理有限公司	代理人	陈智英

摘要

本实用新型属于微电子器件技术领域，公开了一种MoS2基量子阱型调制掺杂场效应晶体管。MoS2基量子阱型调制掺杂场效应晶体管自下至上依次包括衬底、AlN缓冲层、AlGaN缓冲层、GaN层、量子阱型结构层，所述量子阱型结构层为MoS2xSe2(1‑x)层/MoS2层/MoS2xSe2(1‑x)层；所述量子阱型结构层的上方设有源电极、漏电极和栅电极；栅电极设置在源电极和漏电极之间。本实用新型采用量子阱型结构，在此结构中存在两个平行的异质界面，最大电流薄层和电流都加倍；MoS2沟道层夹在两个势垒之间，能够更好地限制载流子。总之，本实用新型的晶体管具有优异的性能。

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