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非晶硅的金属诱导结晶和金属吸除技术

发明专利有效专利

申请号：
CN200610139876.X
IPC分类号：H01L21/20;H01L21/322;H01L21/336;H01L21/84
申请日期：
2006-09-20
申请人：
香港科技大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	非晶硅的金属诱导结晶和金属吸除技术
申请号	CN200610139876.X	申请日期	2006-09-20
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2007-10-31	公开/公告号	CN101064246
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/20 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/20 半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;0;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;8;4查看分类表>
申请人	香港科技大学	申请人地址	中国香港九龙清水湾变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	香港科技大学	当前权利人	香港科技大学
发明人	王文;郭海成;孟志国;张冬利;施雪捷
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	王忠忠

摘要

本发明讲述的是通过非晶硅的金属诱导结晶制备高质量，大面积多晶硅薄膜的技术。此技术需要对起始的非晶硅薄膜引入可控量的诱导结晶金属元素；第一个低温热处理引起金属诱导结晶成核现象并形成很小的多晶硅“岛”；在此部分晶化薄膜材料上形成金属吸除层；金属诱导结晶过程经过第二个低温热处理完成，并形成所期望的多晶硅薄膜；金属吸除层在完成结晶热处理之后可以随意去掉。

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