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非晶硅的金属诱导结晶和金属吸除技术

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200610139876.X
  • IPC分类号:H01L21/20;H01L21/322;H01L21/336;H01L21/84
  • 申请日期:
    2006-09-20
  • 申请人:
    香港科技大学
著录项信息
专利名称非晶硅的金属诱导结晶和金属吸除技术
申请号CN200610139876.X申请日期2006-09-20
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2007-10-31公开/公告号CN101064246
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/20IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;0;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;8;4查看分类表>
申请人香港科技大学申请人地址
中国香港九龙清水湾 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人香港科技大学当前权利人香港科技大学
发明人王文;郭海成;孟志国;张冬利;施雪捷
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人王忠忠
摘要
本发明讲述的是通过非晶硅的金属诱导结晶制备高质量,大面积多晶硅薄膜的技术。此技术需要对起始的非晶硅薄膜引入可控量的诱导结晶金属元素;第一个低温热处理引起金属诱导结晶成核现象并形成很小的多晶硅“岛”;在此部分晶化薄膜材料上形成金属吸除层;金属诱导结晶过程经过第二个低温热处理完成,并形成所期望的多晶硅薄膜;金属吸除层在完成结晶热处理之后可以随意去掉。

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