用于确定速热设备中的半导体晶片的温度的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200380109927.9
IPC分类号：G01J5/00;H01L21/00
申请日期：
2003-11-28
申请人：
马特森热力产品有限责任公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	用于确定速热设备中的半导体晶片的温度的方法
申请号	CN200380109927.9	申请日期	2003-11-28
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-03-29	公开/公告号	CN1754087
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01J5/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01J 红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分，偏振、相位或脉冲特性的测量；比色法；辐射高温测定法〔2〕 G01J5/00 辐射高温测定法	IPC分类号	G;0;1;J;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;0;0查看分类表>
申请人	马特森热力产品有限责任公司	申请人地址	德国多恩施塔德变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	马特森热力产品有限责任公司	当前权利人	马特森热力产品有限责任公司
发明人	M·豪夫;C·默克尔;C·施特里贝尔
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	吴立明;梁永

摘要

本发明涉及一种借助于至少一个在RTP系统上量取的测量信号、即与要确定的状态变量具有依赖关系的被测量从RTP系统的模型中确定至少一个状态变量的方法，和借助于该模型预测的被测量、即预测值，其中所述被测量和预测值分别包括直流部分和交流部分的分量，并且其中，为了形成被测量的交流部分和被测量的通过该模型预测的交流部分之间的第一差值，通过过滤器分别分开地确定至少每个交流部分，为了使模型特性与变化的系统参数相匹配，通过将第一差值反馈到模型中来对至少一个模型参数进行参数自适应，从被测量和预测值或者从消除了交流部分的被测量和消除了交流部分的预测值中形成第二差值，为了使模型系统的状态与真实系统的状态一致，通过将所述第二差值反馈到模型中来进行模型系统的状态的状态校正，和在模型上量取至少一个状态变量。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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