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Nb-Si基合金表面两步法制备Y和Al改性硅化物渗层的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201410171023.9
  • IPC分类号:C23C12/00
  • 申请日期:
    2014-04-25
  • 申请人:
    西北工业大学
著录项信息
专利名称Nb-Si基合金表面两步法制备Y和Al改性硅化物渗层的制备方法
申请号CN201410171023.9申请日期2014-04-25
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2014-08-20公开/公告号CN103993259A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C12/00IPC分类号C;2;3;C;1;2;/;0;0查看分类表>
申请人西北工业大学申请人地址
陕西省西安市友谊西路127号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西北工业大学当前权利人西北工业大学
发明人郭喜平;张平
代理机构西北工业大学专利中心代理人王鲜凯
摘要
本发明涉及一种Nb-Si基合金表面两步法制备Y和Al改性硅化物渗层的制备方法,采用两步法在新型Nb-Si基合金表面制备Y和Al改性硅化物渗层的方法,即首先采用Si-Y2O3共渗在合金表面制备Y改性硅化物渗层,然后在不改变已有硅化物渗层组织结构的基础上,再通过一次后续的Al-Y2O3共渗处理得到Y和Al改性硅化物渗层。其优点在于可首先在合金表面制备出具有预计结构与厚度的硅化物渗层,后续的Al-Y2O3共渗处理在不破坏该硅化物渗层组织结构完整性的前提下,实现了适量Al和Y的加入,制备工艺简单可控;此外对具有复杂形状的实际工件也具有可操作性,因而实用性较强。

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