加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

双异质结光探测器及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201710411589.8
  • IPC分类号:H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
  • 申请日期:
    2017-06-05
  • 申请人:
    西安电子科技大学
著录项信息
专利名称双异质结光探测器及其制备方法
申请号CN201710411589.8申请日期2017-06-05
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2017-10-27公开/公告号CN107302054A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L51/42IPC分类号H;0;1;L;5;1;/;4;2;;;H;0;1;L;5;1;/;4;6;;;H;0;1;L;5;1;/;4;8查看分类表>
申请人西安电子科技大学申请人地址
陕西省西安市太白南路2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安电子科技大学当前权利人西安电子科技大学
发明人贾仁需;庞体强;栾苏珍;张玉明;汪钰成;刘银涛
代理机构西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)代理人刘长春
摘要
本发明涉及一种双异质结光探测器的制备方法,包括:(a)对半绝缘半透明衬底进行清洗;(b)在所述衬底上生长底电极层;(c)在所述底电极层上生长第一MoS2层;(d)在所述第一MoS2层上生长杂化钙钛矿层;(e)在所述杂化钙钛矿层上生长第二MoS2层;(f)在所述第二MoS2层上生长顶电极。本发明杂化钙钛矿双异质结可以使二维材料沟道的背景载流子的完全耗尽,显著降低了器件暗电流,提高器件在弱光下的探测性能;制备工艺简单,生产成本低,无需昂贵的仪器设备等优点;制备的光电探测器可在零栅压、低源漏偏压下工作,具有优异的低功耗特性,且结构简单、效率高、响应快、工作稳定、使用寿命长。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供