一种非易失型存储器擦除方法、装置、存储介质和终端

发明专利有效专利

申请号：
CN202110607474.2
IPC分类号：G11C16/34
申请日期：
2021-06-01
申请人：
芯天下技术股份有限公司

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著录项信息

专利名称	一种非易失型存储器擦除方法、装置、存储介质和终端
申请号	CN202110607474.2	申请日期	2021-06-01
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-17	公开/公告号	CN113409860A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/34 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/06 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕 G11C16/34 编程状态的确定，例如，阈值电压、过编程或欠编程、保留〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;3;4查看分类表>
申请人	芯天下技术股份有限公司	申请人地址	广东省深圳市龙岗区园山街道荷坳社区龙岗大道8288号大运软件小镇10栋101 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	芯天下技术股份有限公司	当前权利人	芯天下技术股份有限公司
发明人	陈纬荣;冯鹏亮;陈慧;王明
代理机构	佛山市海融科创知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	陈志超;唐敏珊

摘要

本发明公开了一种非易失型存储器擦除方法、装置、存储介质和终端，在NOR FLASH进行擦除操作初始阶段，对进行擦除操作flash cell施加第一衬底正高压爬升值进行擦除操作，对与该flash cell对应位线施加第一过擦除检测电压进行过擦除检测，flash cell的Vt不低于0V，第一过擦除检测电压采用粗衬底正高压台阶，这就解决传统NOR flash因为要避免过擦除而牺牲擦除操出速度性能的问题；当检测到出现过擦除的flash cell，将flash cell衬底正高压爬升值变成细衬底正高压爬升值，对应位线过擦除检测电压也随之降低，在降低过擦除发生概率的同时保证字线电荷泵的面积能大幅度减小。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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