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一种读写可控的硅基集成光缓存器

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201911043032.9
  • IPC分类号:G02B6/122;G02F1/09
  • 申请日期:
    2019-10-30
  • 申请人:
    北京交通大学
著录项信息
专利名称一种读写可控的硅基集成光缓存器
申请号CN201911043032.9申请日期2019-10-30
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2020-01-31公开/公告号CN110737047A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02B6/122IPC分类号G;0;2;B;6;/;1;2;2;;;G;0;2;F;1;/;0;9查看分类表>
申请人北京交通大学申请人地址
北京市海淀区西直门外上园村3号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京交通大学当前权利人北京交通大学
发明人王慧莹;王智;李航天;崔粲;傅子玲
代理机构北京安度修典专利代理事务所(特殊普通合伙)代理人暂无
摘要
本发明公开一种读写可控的硅基集成光缓存器,包括左右依次设置的非互易硅基矩形波导和石墨烯层,所述石墨烯层集成在所述非互易硅基矩形波导的右侧输出端面形成读/写控制端面;所述读/写控制端面通过施加电压的方式调控石墨烯透射系数,决定进入所述非互易硅基矩形波导的单向传输信号光能否透过所述石墨烯层,实现对光缓存器读/写的控制。本发明的读写可控的硅基集成光缓存器能够实现方便可调、低损耗的信号光写入与读出光缓存器操作的效果。

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