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一种高速低功耗相变存储器单元及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310500580.6
  • IPC分类号:H01L45/00
  • 申请日期:
    2013-10-22
  • 申请人:
    中国科学院上海微系统与信息技术研究所
著录项信息
专利名称一种高速低功耗相变存储器单元及其制备方法
申请号CN201310500580.6申请日期2013-10-22
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-01-22公开/公告号CN103531710A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L45/00IPC分类号H;0;1;L;4;5;/;0;0查看分类表>
申请人中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请人地址
上海市长宁区长宁路865号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院上海微系统与信息技术研究所当前权利人中国科学院上海微系统与信息技术研究所
发明人宋志棠;吴良才;周夕淋;吕士龙
代理机构上海光华专利事务所代理人李仪萍
摘要
本发明提供一种高速低功耗相变存储器单元及其制备方法,用于提升相变存储器中相变存储单元的操作速度,降低相变存储单元的操作功耗;其特征在于采用微纳加工技术(如聚焦离子束,FIB)去除一部分与加热电极相接触的相变材料层。本发明缩小了相变材料层的体积,使其与加热电极的接触面积极大的减小,三维纳米尺度得存储单元制备得以实现,使存储性能实现高速低功耗。在三维存储单元实现稳定工艺与稳定性能的基础上,在一个相同的底电极上进一步制备出4个及4个以上同等尺寸的存储单元,研究40纳米以下技术节点的高密度存储特性的串扰与存储特性,本发明可直接用于指导工程化相变存储芯片的设计、工艺、测试等,是研发与工程化联系的桥梁。

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