多晶硅的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200710305936.5
IPC分类号：C01B33/021
申请日期：
2007-12-27
申请人：
泰拉半导体株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	多晶硅的制造方法
申请号	CN200710305936.5	申请日期	2007-12-27
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2008-07-02	公开/公告号	CN101209841
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B33/021 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B33/00 硅；其化合物（C01B 21/00，C01B 23/00优先；过硅酸盐入 C01B 15/14；碳化物入C01B32/956）〔1，3，2006.01〕 C01B33/02 硅（形成单晶或有一定结构的均匀多晶材料入C30B）〔5〕 C01B33/021 制备（由气相的化学涂层入C23C 16/00）〔5〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;3;/;0;2;1查看分类表>
申请人	泰拉半导体株式会社	申请人地址	韩国京畿道平泽市振威面振威产团路75 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	圆益IPS股份有限公司	当前权利人	圆益IPS股份有限公司
发明人	张泽龙;李炳一;李永浩;张锡弼
代理机构	北京鸿元知识产权代理有限公司	代理人	陈英俊

摘要

本发明提供可以适用于LCD等平板显示器的TFT用多晶硅的制造方法。本发明的多晶硅的制造方法包括以下步骤(a)在非晶质硅上供给含有金属的源气体的步骤；(b)通过调节吸附压力、吸附时间和吸附温度中的至少一个来使规定量的源气体吸附在上述非晶质硅上的步骤；(c)将上述(b)中未吸附于上述非晶质硅上的源气体除去的步骤；(d)在吸附有源气体的上述非晶质硅上供给辅助气体的步骤；(e)通过吸附在上述非晶质硅上的源气体与上述辅助气体发生反应，从而最终在上述非晶质硅上吸附规定量的金属的步骤；(f)对吸附有上述金属的非晶质硅进行热处理的步骤。根据本发明，具有以下效果可以适当且微细地调节吸附于非晶质硅薄膜上的金属的量，可以在利用金属诱导结晶化方式进行硅的结晶化时，在降低结晶化温度的同时防止金属所导致的污染。

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