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一种电阻器件结构

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN202021102854.8
  • IPC分类号:H01L23/367;H01L49/02
  • 申请日期:
    2020-06-15
  • 申请人:
    长江存储科技有限责任公司
著录项信息
专利名称一种电阻器件结构
申请号CN202021102854.8申请日期2020-06-15
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/367IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;3;6;7;;;H;0;1;L;4;9;/;0;2查看分类表>
申请人长江存储科技有限责任公司申请人地址
湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人长江存储科技有限责任公司当前权利人长江存储科技有限责任公司
发明人王志强
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人柳虹
摘要
本实用新型提供一种电阻器件结构,包括:衬底,衬底包括浅沟槽隔离区,浅沟槽隔离区上方的多晶硅层,以及至少一个接触结构,接触结构包括:第一金属接触和第二金属接触,第一金属接触位于多晶硅层上,第二金属接触位于衬底上,第一金属接触和第二金属接触连接。这样,通过在多晶硅层上设置第一金属接触,在衬底上设置第二金属接触,并将第一金属接触和第二金属接触连接在一起,从而将多晶硅层上的热量通过第一金属接触以及第二金属接触传递至衬底中,利用金属的导热性以及衬底的散热能力,降低多晶硅层的温度,提高电阻的稳定性。

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