半导体装置中形成为金属线互连件的凸块接合件

本发明涉及一种半导体功率芯片，其具有形成于半导体裸片(10)上的半导体功率装置(210、530、720、730、830、840)(例如，功率FET装置)；其中所述半导体功率装置(210、530、720、730、830、840)包括：导电接触元件(230A、230B、230C)阵列；钝化层(250)，其形成于所述多个导电接触元件(230A、230B、230C)上方，所述钝化层(250)包括多个所述导电接触元件(230A、230B、230C)上方的钝化开口(12、252)；及导电凸块(200、200a’、200c’、200e’、200A、200B’、200C)阵列，其包含一或多个互连凸块(200a’、200c’、200e’、200A、200B’、200C)，其中每一互连凸块(200a’、200c’、200e’、200A、200B’、200C)形成于所述钝化层(250)上方并延伸到所述钝化开口(12、252)中的至少两者中且与至少两个下伏导电接触元件(230A、230B、230C)接触，以借此提供所述至少两个下伏导电接触元件(230A、230B、230C)之间的导电耦合。所述导电接触元件(230A、230B、230C)阵列可包括至少一个栅极接触元件(230A)、至少一个漏极接触元件(230B)及至少一个源极接触元件(230C)。所述半导体功率芯片可进一步包括引线框架(104、510、610、710、810)，所述引线框架耦合到所述导电凸块(200、200a’、200c’、200e’、200A、200B’、200C)阵列，使得所述一或多个互连凸块(200a’、200c’、200e’、200A、200B’、200C)提供所述导电接触元件(230A、230B、230C)阵列的至少一部分与所述引线框架(104、510、610、710、810)之间的导电耦合。