著录项信息
专利名称 | 硅片研磨方法 |
申请号 | CN201310753583.0 | 申请日期 | 2013-12-31 |
法律状态 | 撤回 | 申报国家 | 中国 |
公开/公告日 | 2015-07-01 | 公开/公告号 | CN104741975A |
优先权 | 暂无 | 优先权号 | 暂无 |
主分类号 | B24B1/00 | IPC分类号 | B;2;4;B;1;/;0;0;;;B;2;4;B;3;7;/;1;6查看分类表>
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申请人 | 上海合晶硅材料有限公司 | 申请人地址 | 上海市松江区贵南路500号
变更
专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效 |
权利人 | 上海合晶硅材料有限公司 | 当前权利人 | 上海合晶硅材料有限公司 |
发明人 | 沈辉辉;黄春峰;邹晓明;陈建纲;刘苏生 |
代理机构 | 上海脱颖律师事务所 | 代理人 | 李强 |
摘要
本发明公开了一种硅片研磨方法,其特征在于,采用PWA9研磨砂浆液研磨;在多级压力下分别研磨,第一级压力为265kg-275kg,转速4-6转/min,转速比为0.4-0.6,研磨时间40-50秒;第二级压力为140kg-160kg,转速14-16,转速比为0.4-0.6,研磨时间60-120秒;第三极压力为110kg-120kg,转速24-26,转速比为0.4-0.6,研磨时间60-120秒;第四级压力为90kg-110kg,转速28-32,转速比为0.4-0.6,研磨时间40-50秒;第五级压力为65kg-75kg,转速34-36,转速比为0.4-0.6,研磨时间9-11min;各级压力转换之间间隔时间为5-15秒。本发明中的硅片研磨方法,使用PWA9研磨砂,研磨成本可降低10%。而且研磨的产品良率高,因线痕及碎片导致的不良率降低至0.5%。