硅片研磨方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201310753583.0
IPC分类号：B24B1/00;B24B37/16
申请日期：
2013-12-31
申请人：
上海合晶硅材料有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	硅片研磨方法
申请号	CN201310753583.0	申请日期	2013-12-31
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2015-07-01	公开/公告号	CN104741975A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B24B1/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B2 成型 B24 磨削；抛光 B24B 用于磨削或抛光的机床、装置或工艺（用电蚀入B23H；磨料或有关喷射入B24C；电解浸蚀或电解抛光入C25F 3/00）；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给 B24B1/00 磨削或抛光的工艺；与此工艺有关的所用辅助设备（以使用专用机床或装置为特征的工艺，见与这些机床或装置相关的位置）〔4〕	IPC分类号	B;2;4;B;1;/;0;0;;;B;2;4;B;3;7;/;1;6查看分类表>
申请人	上海合晶硅材料有限公司	申请人地址	上海市松江区贵南路500号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海合晶硅材料有限公司	当前权利人	上海合晶硅材料有限公司
发明人	沈辉辉;黄春峰;邹晓明;陈建纲;刘苏生
代理机构	上海脱颖律师事务所	代理人	李强

摘要

本发明公开了一种硅片研磨方法，其特征在于，采用PWA9研磨砂浆液研磨；在多级压力下分别研磨，第一级压力为265kg-275kg，转速4-6转/min，转速比为0.4-0.6，研磨时间40-50秒；第二级压力为140kg-160kg，转速14-16，转速比为0.4-0.6，研磨时间60-120秒；第三极压力为110kg-120kg，转速24-26，转速比为0.4-0.6，研磨时间60-120秒；第四级压力为90kg-110kg，转速28-32，转速比为0.4-0.6，研磨时间40-50秒；第五级压力为65kg-75kg，转速34-36，转速比为0.4-0.6，研磨时间9-11min；各级压力转换之间间隔时间为5-15秒。本发明中的硅片研磨方法，使用PWA9研磨砂，研磨成本可降低10%。而且研磨的产品良率高，因线痕及碎片导致的不良率降低至0.5%。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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