一种与半导体Si集成的人工神经元及其应用

发明专利有效专利

申请号：
CN202011351427.8
IPC分类号：H01L31/0224;H01L31/102;G06N3/063;G06N3/04
申请日期：
2020-11-27
申请人：
西北工业大学

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著录项信息

专利名称	一种与半导体Si集成的人工神经元及其应用
申请号	CN202011351427.8	申请日期	2020-11-27
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-01	公开/公告号	CN112885907A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/0224 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/02 零部件〔2〕 H01L31/0224 电极〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4;;;H;0;1;L;3;1;/;1;0;2;;;G;0;6;N;3;/;0;6;3;;;G;0;6;N;3;/;0;4查看分类表>
申请人	西北工业大学	申请人地址	陕西省西安市碑林区友谊西路127号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西北工业大学	当前权利人	西北工业大学
发明人	罗炳成;刘正源
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明涉及光电信息转换技术领域，特别是涉及一种即时宽谱响应的Si集成人工神经元及应用。本发明通过元件结构的设计以及材料的选择，通过调控载流子被捕获及释放的动力学过程来调制其光电导，解决当前人工神经元在收集光电信号的不足(诸如较长的响应时间以及较低的输出信号对比度等)，使其具有如宽谱响应、快速光响应及高输出信号对比度，将在光信息提取(或过滤)器、神经形态视觉系统以及人工智能等应用领域具有极大的潜力。

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