半导体装置及半导体元件

发明专利有效专利

申请号：
CN202010886116.5
IPC分类号：H01L23/00;H01L23/31
申请日期：
2020-08-28
申请人：
三菱电机株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	半导体装置及半导体元件
申请号	CN202010886116.5	申请日期	2020-08-28
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-03-05	公开/公告号	CN112447610A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1查看分类表>
申请人	三菱电机株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三菱电机株式会社	当前权利人	三菱电机株式会社
发明人	中田洋辅
代理机构	北京天昊联合知识产权代理有限公司	代理人	暂无

摘要

本发明涉及半导体装置及半导体元件。提供即使在由于由温度循环引起的应力而使半导体元件从封装树脂承受到应力的情况下，也对半导体元件表面的保护膜的剥离进行了抑制的半导体装置。具有基板；半导体元件，其与基板接合；以及封装树脂，其对基板的至少一部分和半导体元件进行封装，半导体元件具有有源区域，其在半导体元件的接通状态下流过主电流；有源区域的周围的末端区域；锚定膜，其设置于末端区域的绝缘膜之上；以及保护膜，其至少将包含锚定膜的末端区域覆盖，锚定膜由与绝缘膜不同的材料构成，具有分散地设置的多个开口部。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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